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  • 型号: FDB7030BL
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDB7030BL由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB7030BL价格参考。Fairchild SemiconductorFDB7030BL封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDB7030BL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB7030BL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 60A TO-263ABMOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

60 A

Id-连续漏极电流

60 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB7030BLPowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDB7030BL

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

60 W

Pd-功率耗散

60 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

12 ns

下降时间

19 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1760pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

24nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9 毫欧 @ 30A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263(D2Pak)

其它名称

FDB7030BLCT

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

60W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

85 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

60A (Ta)

系列

FDB7030

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FDB7030BL_NL

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