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  • 型号: FDB52N20TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDB52N20TM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDB52N20TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB52N20TM价格参考。Fairchild SemiconductorFDB52N20TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 52A(Tc) 357W(Tc) D²PAK。您可以下载FDB52N20TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB52N20TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDB52N20TM 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款单通道 N 沟道 MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。该型号的晶体管具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景:

1. 电源管理:FDB52N20TM 适用于各种电源管理系统,如 DC-DC 转换器、开关模式电源 (SMPS) 和电池充电电路。它能够高效地控制电流流动,减少功率损耗,提高系统效率。

2. 电机驱动:在电机驱动应用中,FDB52N20TM 可以用于控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低导通电阻有助于降低功耗,延长设备使用寿命,并提高系统的响应速度。

3. 负载开关:该 MOSFET 可作为负载开关使用,在便携式电子设备、计算机和通信设备中实现电源的快速接通和断开。它的低导通电阻可以减少电压降,确保负载端获得稳定的电源供应。

4. 保护电路:FDB52N20TM 还可用于过流保护、短路保护等电路设计。通过检测异常电流并迅速切断电路,它可以有效防止系统因过载或短路而损坏。

5. 汽车电子:在汽车电子系统中,如电动助力转向系统 (EPS)、车身控制模块 (BCM) 和 LED 照明控制系统中,FDB52N20TM 的可靠性和耐高温特性使其成为理想选择。

6. 消费电子产品:在智能手机、平板电脑和其他消费电子产品中,FDB52N20TM 可用于电源管理单元 (PMU) 和其他需要高效电流控制的场合。

总之,FDB52N20TM 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各类电力电子设备中,尤其适合对效率和响应速度有较高要求的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 52A D2PAKMOSFET 200V N-Ch MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

52 A

Id-连续漏极电流

52 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB52N20TMUniFET™

数据手册

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产品型号

FDB52N20TM

PCN封装

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PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

250 W

Pd-功率耗散

250 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

49 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

49 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

160 ns

下降时间

150 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2900pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

63nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

49 毫欧 @ 26A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D²PAK

其它名称

FDB52N20TMDKR

典型关闭延迟时间

150 ns

功率-最大值

357W

包装

Digi-Reel®

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

35 S

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

52A (Tc)

系列

FDB52N20

通道模式

Enhancement

配置

Single

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