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FDB52N20TM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB52N20TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB52N20TM价格参考。Fairchild SemiconductorFDB52N20TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 52A(Tc) 357W(Tc) D²PAK。您可以下载FDB52N20TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB52N20TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB52N20TM 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款单通道 N 沟道 MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)。该型号的晶体管具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:FDB52N20TM 适用于各种电源管理系统,如 DC-DC 转换器、开关模式电源 (SMPS) 和电池充电电路。它能够高效地控制电流流动,减少功率损耗,提高系统效率。 2. 电机驱动:在电机驱动应用中,FDB52N20TM 可以用于控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低导通电阻有助于降低功耗,延长设备使用寿命,并提高系统的响应速度。 3. 负载开关:该 MOSFET 可作为负载开关使用,在便携式电子设备、计算机和通信设备中实现电源的快速接通和断开。它的低导通电阻可以减少电压降,确保负载端获得稳定的电源供应。 4. 保护电路:FDB52N20TM 还可用于过流保护、短路保护等电路设计。通过检测异常电流并迅速切断电路,它可以有效防止系统因过载或短路而损坏。 5. 汽车电子:在汽车电子系统中,如电动助力转向系统 (EPS)、车身控制模块 (BCM) 和 LED 照明控制系统中,FDB52N20TM 的可靠性和耐高温特性使其成为理想选择。 6. 消费电子产品:在智能手机、平板电脑和其他消费电子产品中,FDB52N20TM 可用于电源管理单元 (PMU) 和其他需要高效电流控制的场合。 总之,FDB52N20TM 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各类电力电子设备中,尤其适合对效率和响应速度有较高要求的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 200V 52A D2PAKMOSFET 200V N-Ch MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 52 A |
Id-连续漏极电流 | 52 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB52N20TMUniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDB52N20TM |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 250 W |
Pd-功率耗散 | 250 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 49 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 49 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 160 ns |
下降时间 | 150 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2900pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 49 毫欧 @ 26A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | FDB52N20TMDKR |
典型关闭延迟时间 | 150 ns |
功率-最大值 | 357W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 1.312 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 35 S |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 52A (Tc) |
系列 | FDB52N20 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |