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  • 型号: FDB38N30U
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDB38N30U由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB38N30U价格参考。Fairchild SemiconductorFDB38N30U封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDB38N30U参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB38N30U 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N CH 300V 38A D2PAKMOSFET N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 300V, 38A, 120m

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

38 A

Id-连续漏极电流

38 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB38N30UUniFET™

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产品型号

FDB38N30U

Pd-PowerDissipation

313 W

Pd-功率耗散

313 W

Qg-GateCharge

56 nC

Qg-栅极电荷

56 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

103 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

103 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

300 V

Vds-漏源极击穿电压

300 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V to 5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V to 5 V

上升时间

80 ns

下降时间

62 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3340pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

73nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

120 毫欧 @ 19A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D²PAK

其它名称

FDB38N30UDKR

典型关闭延迟时间

133 ns

功率-最大值

313W

包装

Digi-Reel®

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

30 S

漏源极电压(Vdss)

300V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

38A (Tc)

系列

FDB38N30U

通道模式

Enhancement

配置

Single

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