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  • 型号: FDB3652
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDB3652由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB3652价格参考。Fairchild SemiconductorFDB3652封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDB3652参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB3652 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 61A TO-263ABMOSFET N-Channel PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

61 A

Id-连续漏极电流

61 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB3652PowerTrench®

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产品型号

FDB3652

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

150 W

Pd-功率耗散

150 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

14 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

14 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

85 ns

下降时间

45 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2880pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

53nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16 毫欧 @ 61A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263AB

其它名称

FDB3652CT

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

150W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9A (Ta), 61A (Tc)

系列

FDB3652

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FDB3652_NL

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