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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB3632由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB3632价格参考¥10.24-¥10.90。Fairchild SemiconductorFDB3632封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 12A(Ta),80A(Tc) 310W(Tc) D²PAK。您可以下载FDB3632参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB3632 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAKMOSFET N-Channel PowerTrench |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
Id-连续漏极电流 | 80 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB3632PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDB3632 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 310 W |
Pd-功率耗散 | 310 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 39 ns |
下降时间 | 46 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 80A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | FDB3632DKR |
典型关闭延迟时间 | 96 ns |
功率-最大值 | 310W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 1.312 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta), 80A (Tc) |
系列 | FDB3632 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FDB3632_NL |