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  • 型号: FDB075N15A_F085
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDB075N15A_F085由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB075N15A_F085价格参考。Fairchild SemiconductorFDB075N15A_F085封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDB075N15A_F085参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB075N15A_F085 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 150V 110A D2PAKMOSFET N-Channel Power Trench MOSFET 150V, 110A, 7.5m

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

110 A

Id-连续漏极电流

110 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB075N15A_F085PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDB075N15A_F085

Pd-PowerDissipation

333 W

Pd-功率耗散

333 W

Qg-GateCharge

95 nC

Qg-栅极电荷

95 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

20 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

20 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

150 V

Vds-漏源极击穿电压

150 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

46 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5595pF @ 75V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

95nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

7.5毫欧 @ 80A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263

其它名称

FDB075N15A_F085CT

典型关闭延迟时间

76 ns

功率-最大值

333W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

150V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

110A (Tc)

系列

FDB075N15A

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