Datasheet下载- 型号： FDB075N15A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB075N15A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB075N15A价格参考￥11.54-￥11.54。Fairchild SemiconductorFDB075N15A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB075N15A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB075N15A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB075N15A 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。该型号的主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） FDB075N15A 的高电压耐受能力（150V Vds）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以作为功率开关，用于降压、升压或反激式转换器中，以实现高效的电压转换。 2. 电机驱动 由于其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 0.75Ω），FDB075N15A 可以用作小型直流电机的驱动开关，适用于玩具、家用电器和工业自动化设备中的电机控制。 3. 负载开关 在需要高效管理和保护电路的应用中，该 MOSFET 可用作负载开关。它能够快速响应并切断电流，从而保护下游电路免受过流或短路的影响。 4. 逆变器和太阳能系统 在小型逆变器或分布式太阳能系统中，FDB075N15A 可以用作功率级开关，帮助实现直流到交流的转换，同时保持较低的功耗。 5. 电池管理 该器件适合用于电池保护电路中，例如锂离子电池组的充放电管理。它可以通过精确的电流控制和低损耗特性，延长电池寿命并提高系统效率。 6. LED 驱动 在 LED 照明应用中，FDB075N15A 可用于恒流驱动电路，提供稳定的电流输出以确保 LED 的亮度一致性和可靠性。 7. 电信和网络设备 由于其良好的电气特性和稳定性，该 MOSFET 可用于电信设备中的信号调理和功率管理模块，例如基站、路由器和交换机等。 8. 汽车电子 在汽车应用中，FDB075N15A 可用于车身控制模块（BCM）、风扇控制、雨刷电机驱动以及照明系统等场景，满足车载电子对可靠性和效率的要求。 总结来说，FDB075N15A 凭借其高击穿电压、低导通电阻和出色的开关性能，广泛应用于各种功率转换、电机驱动、电池管理和照明领域，尤其适合中小功率范围内的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 130A D2PAKMOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 130 A |
| Id-连续漏极电流 | 130 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB075N15APowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB075N15A |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 333 W |
| Pd-功率耗散 | 333 W |
| Qg-GateCharge | 77 nC |
| Qg-栅极电荷 | 77 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 37 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7350pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 100A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 其它名称 | FDB075N15ADKR |
| 功率-最大值 | 333W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 164 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 130A （Tc） |
| 系列 | FDB075N15A |
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