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FDB045AN08A0_F085产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 75V 19A D2PAKMOSFET 75V N-CHAN PwrTrench |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 90 A |
Id-连续漏极电流 | 90 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB045AN08A0_F085PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDB045AN08A0_F085 |
Pd-PowerDissipation | 310 W |
Pd-功率耗散 | 310 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.9 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.9 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6600pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 138nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.5 毫欧 @ 80A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-263-2 |
其它名称 | FDB045AN08A0_F085CT |
功率-最大值 | 310W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 1.312 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19A (Ta) |
系列 | FDB045AN08A0 |