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Datasheet下载- 型号： FDB045AN08A0
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB045AN08A0由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB045AN08A0价格参考￥12.05-￥17.63。Fairchild SemiconductorFDB045AN08A0封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 75V 19A（Ta），90A（Tc） 310W（Tc） D²PAK。您可以下载FDB045AN08A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB045AN08A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB045AN08A0 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该型号具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要的应用场景： 1. 电源管理 该 MOSFET 可用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）能够减少功率损耗，提高效率，适合高效能的电源设计。 2. 电机驱动 在小型电机控制中，FDB045AN08A0 可用作开关器件，实现对电机速度和方向的精确控制。例如，它适用于家用电器（如风扇、泵）或工业设备中的无刷直流电机（BLDC）驱动电路。 3. 负载开关 由于其低导通电阻和小封装尺寸，这款 MOSFET 非常适合用作负载开关，尤其是在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中，用于动态管理不同电路模块的供电状态。 4. 电池管理系统（BMS） 在电池保护和管理电路中，FDB045AN08A0 可作为充放电路径的控制开关，确保电池在安全范围内工作，并防止过流、短路等问题。 5. 信号切换 在需要高频信号切换的场合，例如通信设备或数据传输接口中，该 MOSFET 的快速开关特性和低电容使其成为理想的开关元件。 6. 逆变器和光伏系统 对于小型太阳能逆变器或其他可再生能源应用，FDB045AN08A0 可以用作功率级开关，帮助将直流电转换为交流电，同时保持较高的转换效率。 7. 汽车电子 在汽车电子领域，这款 MOSFET 可用于车身控制系统（如车窗升降、座椅调节）以及 LED 照明驱动电路中，提供可靠的开关功能。 综上所述，FDB045AN08A0 凭借其高性能参数和紧凑封装，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及绿色能源等领域，满足多样化的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 90A D2PAKMOSFET N-Channel UltraFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB045AN08A0PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB045AN08A0 |
| Pd-PowerDissipation | 310 W |
| Pd-功率耗散 | 310 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 88 ns |
| 下降时间 | 45 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 138nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 80A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB045AN08A0DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Ta）， 90A （Tc） |
| 系列 | FDB045AN08A0 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDB045AN08A0_NL |
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