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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAKMOSFET 75V N-Channel PowerTrench |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 235 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB031N08PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDB031N08 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 375 W |
Pd-功率耗散 | 375 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.1 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 191 ns |
下降时间 | 121 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15160pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 220nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.1 毫欧 @ 75A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | FDB031N08TR |
典型关闭延迟时间 | 335 ns |
功率-最大值 | 375W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 1.762 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 3.1 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 800 |
汲极/源极击穿电压 | 75 V |
漏极连续电流 | 235 A |
漏源极电压(Vdss) | 75V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
系列 | FDB031N08 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |