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  • 型号: FDA59N30
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDA59N30由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDA59N30价格参考。Fairchild SemiconductorFDA59N30封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDA59N30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDA59N30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 300V 59A TO-3PMOSFET 500V NCH MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

59 A

Id-连续漏极电流

59 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDA59N30UniFET™

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产品型号

FDA59N30

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

500 W

Pd-功率耗散

500 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

56 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

56 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

300 V

Vds-漏源极击穿电压

300 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

575 ns

下降时间

200 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4670pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

100nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

56 毫欧 @ 29.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-3PN

典型关闭延迟时间

120 ns

功率-最大值

500W

包装

管件

单位重量

6.401 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3P-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

300V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

59A (Tc)

系列

FDA59N30

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FDA59N30_NL

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