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Datasheet下载- 型号： FDA24N50F
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDA24N50F产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDA24N50F由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDA24N50F价格参考。Fairchild SemiconductorFDA24N50F封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 270W（Tc） TO-3PN。您可以下载FDA24N50F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDA24N50F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDA24N50F是一款增强型n沟道MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻（Rds(on)）的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理： - DC-DC转换器：该MOSFET适用于降压、升压或升降压转换器中的主开关或同步整流器。它能够提供高效的功率传输，减少能量损耗。 - 电池管理系统：用于控制电池充放电回路中的电流流动，确保电池的安全和稳定运行。 2. 电机驱动： - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电动工具、家电和工业自动化设备中，FDA24N50F可以作为逆变器桥臂的一部分，用于精确控制电机的速度和方向。 - 步进电机驱动：用于打印机、扫描仪等设备中的步进电机驱动电路，实现高精度的位置控制。 3. 负载开关： - 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑等，FDA24N50F可以用作负载开关，快速切断或接通电源，以延长电池寿命并提高系统可靠性。 - 汽车电子：用于车载信息娱乐系统、传感器模块和其他电子组件的电源管理，确保这些设备在启动和关闭时平稳过渡。 4. 保护电路： - 过流保护：通过检测电流并在超过预设阈值时断开电路，防止因短路或过载导致的损坏。 - ESD保护：内置静电放电（ESD）保护功能，可有效抵御静电冲击，提高系统的抗干扰能力。 5. 信号切换： - 通信设备：如路由器、交换机等网络设备中，用于高速信号路径的选择和切换，确保数据传输的稳定性和完整性。 总之，FDA24N50F凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于多种需要高效功率管理和信号处理的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3MOSFET N-Ch |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 24 A |
| Id-连续漏极电流 | 24 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDA24N50FUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDA24N50F |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 270 W |
| Pd-功率耗散 | 270 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 105 ns |
| 下降时间 | 87 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 200 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 典型关闭延迟时间 | 165 ns |
| 功率-最大值 | 270W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3PN-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 30 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
| 系列 | FDA24N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
