ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FCPF7N60NT
Datasheet下载- 型号： FCPF7N60NT
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCPF7N60NT由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCPF7N60NT价格参考￥4.76-￥4.76。Fairchild SemiconductorFCPF7N60NT封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 6.8A（Tc） 30.5W（Tc） TO-220F。您可以下载FCPF7N60NT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCPF7N60NT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FCPF7N60NT是一款N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于多种电力电子设备中。该型号具有高击穿电压（600V）和低导通电阻（Rds(on) = 0.45Ω），适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。 应用场景： 1. 开关电源 (SMPS)： FCPF7N60NT常用于开关电源中的功率转换电路，如PFC（功率因数校正）和DC-DC转换器。其高耐压特性和低导通电阻有助于提高效率，减少发热，延长设备寿命。 2. 电机驱动： 在电机控制应用中，该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。其快速开关速度和低损耗特性使得它在电机启动、调速和制动过程中表现优异。 3. 逆变器： 该器件适用于太阳能逆变器和其他类型的逆变器系统。它能够承受高压并提供稳定的电流输出，确保逆变器在不同负载条件下正常工作。 4. 不间断电源 (UPS)： 在UPS系统中，FCPF7N60NT用于电池充电和放电管理电路，确保在市电中断时能够迅速切换到备用电源，保护连接的设备免受断电影响。 5. 工业自动化： 在工业控制系统中，该MOSFET可以作为固态继电器使用，用于控制大电流负载，如电磁阀、加热元件等。其紧凑的封装形式适合空间受限的应用场合。 6. 汽车电子： 在汽车电子领域，FCPF7N60NT可用于车载充电器、电动助力转向系统、LED照明控制等。其抗干扰能力强，能够在恶劣的汽车环境中稳定工作。 总之，FCPF7N60NT凭借其出色的电气性能和可靠性，成为众多电力电子应用的理想选择。无论是消费类电子产品还是工业设备，它都能提供高效、可靠的功率管理解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220FMOSFET 600V N-Channel SupreMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCPF7N60NTSupreMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCPF7N60NT |
| Pd-PowerDissipation | 30.5 W |
| Pd-功率耗散 | 30.5 W |
| Qg-GateCharge | 17.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 17.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 460 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 460 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 6 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 960pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 520 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 30.5W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 8.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.8A （Tc） |
| 系列 | FCPF7N60 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
