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FCPF260N60E产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCPF260N60E由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCPF260N60E价格参考。Fairchild SemiconductorFCPF260N60E封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 15A(Tc) 36W(Tc) TO-220F-3。您可以下载FCPF260N60E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCPF260N60E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCPF260N60E 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款单通道 MOSFET 晶体管,属于 FET(场效应晶体管)中的 MOSFET 类别。该型号的具体应用场景如下: 1. 电源管理:FCPF260N60E 适用于多种电源管理应用,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、逆变器等。其低导通电阻和高击穿电压特性使其能够在这些应用中高效工作,减少能量损耗。 2. 电机驱动:在电机控制电路中,MOSFET 用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。FCPF260N60E 的快速开关特性和高耐压能力使其适合用于电机驱动电路中的功率级,确保电机平稳运行并提高效率。 3. 电池管理系统 (BMS):该器件可用于电池保护电路,防止过充、过放及短路等问题。它能够快速响应电流变化,确保电池的安全和寿命。 4. 工业自动化:在工业控制系统中,MOSFET 常用于继电器替代、电磁阀驱动、传感器接口等场合。FCPF260N60E 的高可靠性和稳定性使其成为工业应用的理想选择。 5. 汽车电子:在汽车电子系统中,如电动助力转向系统(EPS)、车身控制模块(BCM)、LED 照明控制等,MOSFET 起着关键作用。FCPF260N60E 的高温性能和抗干扰能力使其适用于严苛的汽车环境。 6. 消费电子产品:在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中,MOSFET 用于电源管理单元(PMU)、充电电路、负载开关等。FCPF260N60E 的小封装尺寸和高效能特点使其非常适合这些应用。 总结来说,FCPF260N60E 凭借其优异的电气性能和可靠性,在多个领域有着广泛的应用前景,特别是在需要高效能、高可靠性的电力电子设备中表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N CH 600V 15A TO-220FMOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 15 A |
Id-连续漏极电流 | 15 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCPF260N60ESuperFETII® |
数据手册 | |
产品型号 | FCPF260N60E |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 36 W |
Pd-功率耗散 | 36 W |
Qg-GateCharge | 48 nC |
Qg-栅极电荷 | 48 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 260 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 260 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.5 V |
上升时间 | 11 ns |
下降时间 | 13 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 62nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 260 毫欧 @ 7.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220F |
典型关闭延迟时间 | 13 ns |
功率-最大值 | 36W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 15.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-semiconductor-superfet-mosfets/4170 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Tc) |
系列 | FCPF260N60E |
配置 | Single |