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  • 型号: FCPF13N60NT
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FCPF13N60NT产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FCPF13N60NT由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCPF13N60NT价格参考¥10.39-¥10.86。Fairchild SemiconductorFCPF13N60NT封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 13A(Tc) 33.8W(Tc) TO-220F-3(Y 型)。您可以下载FCPF13N60NT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCPF13N60NT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的FCPF13N60NT是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于FET家族。它在多种应用场景中表现出色,尤其适用于需要高效功率转换和开关操作的场合。以下是该型号的一些主要应用场景:

 1. 电源管理
   FCPF13N60NT广泛应用于电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)等。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它能够在高电流条件下保持较低的功耗,从而提高整体效率。此外,它还适用于不间断电源(UPS)系统,确保在市电中断时能够平稳切换到备用电源。

 2. 电机驱动
   在电机驱动应用中,FCPF13N60NT可以作为开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。它能够承受较高的电压和电流波动,适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等驱动电路。由于其快速开关特性和低损耗,它在电机驱动中表现出优异的性能,延长了系统的使用寿命。

 3. 逆变器与变频器
   该MOSFET常用于逆变器和变频器中,特别是在太阳能逆变器和工业变频器领域。它可以实现高效的交流-直流或直流-交流转换,帮助系统在不同频率下稳定运行。其耐高压特性(600V击穿电压)使其能够适应复杂的电网环境,确保系统的可靠性和稳定性。

 4. 电动汽车(EV)与混合动力汽车(HEV)
   在电动汽车和混合动力汽车中,FCPF13N60NT可用于电池管理系统(BMS)、车载充电器(OBC)以及电机控制器。它能够承受车辆行驶过程中频繁的电压和电流变化,提供高效且稳定的电力传输,同时减少能量损失,提升续航里程。

 5. 工业自动化
   在工业自动化设备中,如机器人、数控机床等,FCPF13N60NT可以用于控制各种执行机构的动作,如气缸、电磁阀等。它的快速响应能力和低延迟特性使得控制系统更加精确和高效。

总之,FCPF13N60NT凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于多种高要求的功率管理和控制场景,尤其是在需要高效、快速响应和低损耗的应用中表现尤为突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 13A TO220FMOSFET SupreMOS 13A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

13 A

Id-连续漏极电流

13 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCPF13N60NTSuperMOS™

数据手册

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产品型号

FCPF13N60NT

Pd-PowerDissipation

33.8 W

Pd-功率耗散

33.8 W

Qg-GateCharge

30.4 nC

Qg-栅极电荷

30.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

258 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

258 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

10.6 ns

下降时间

9.8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1765pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

39.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

258 毫欧 @ 6.5A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220F

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

33.8W

包装

管件

单位重量

2.270 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

16.3 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A (Tc)

系列

FCPF13N60NT

配置

Single

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