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FCPF13N60NT产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCPF13N60NT由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCPF13N60NT价格参考¥10.39-¥10.86。Fairchild SemiconductorFCPF13N60NT封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 13A(Tc) 33.8W(Tc) TO-220F-3(Y 型)。您可以下载FCPF13N60NT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCPF13N60NT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FCPF13N60NT是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于FET家族。它在多种应用场景中表现出色,尤其适用于需要高效功率转换和开关操作的场合。以下是该型号的一些主要应用场景: 1. 电源管理 FCPF13N60NT广泛应用于电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC converters)等。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它能够在高电流条件下保持较低的功耗,从而提高整体效率。此外,它还适用于不间断电源(UPS)系统,确保在市电中断时能够平稳切换到备用电源。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,FCPF13N60NT可以作为开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。它能够承受较高的电压和电流波动,适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等驱动电路。由于其快速开关特性和低损耗,它在电机驱动中表现出优异的性能,延长了系统的使用寿命。 3. 逆变器与变频器 该MOSFET常用于逆变器和变频器中,特别是在太阳能逆变器和工业变频器领域。它可以实现高效的交流-直流或直流-交流转换,帮助系统在不同频率下稳定运行。其耐高压特性(600V击穿电压)使其能够适应复杂的电网环境,确保系统的可靠性和稳定性。 4. 电动汽车(EV)与混合动力汽车(HEV) 在电动汽车和混合动力汽车中,FCPF13N60NT可用于电池管理系统(BMS)、车载充电器(OBC)以及电机控制器。它能够承受车辆行驶过程中频繁的电压和电流变化,提供高效且稳定的电力传输,同时减少能量损失,提升续航里程。 5. 工业自动化 在工业自动化设备中,如机器人、数控机床等,FCPF13N60NT可以用于控制各种执行机构的动作,如气缸、电磁阀等。它的快速响应能力和低延迟特性使得控制系统更加精确和高效。 总之,FCPF13N60NT凭借其出色的电气性能和可靠性,适用于多种高要求的功率管理和控制场景,尤其是在需要高效、快速响应和低损耗的应用中表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 13A TO220FMOSFET SupreMOS 13A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
Id-连续漏极电流 | 13 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCPF13N60NTSuperMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | FCPF13N60NT |
Pd-PowerDissipation | 33.8 W |
Pd-功率耗散 | 33.8 W |
Qg-GateCharge | 30.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 30.4 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 258 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 258 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 10.6 ns |
下降时间 | 9.8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1765pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 258 毫欧 @ 6.5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220F |
典型关闭延迟时间 | 45 ns |
功率-最大值 | 33.8W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 16.3 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Tc) |
系列 | FCPF13N60NT |
配置 | Single |