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  • 型号: FCP190N60_GF102
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FCP190N60_GF102产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V TO-220-3MOSFET 20.2A 600V MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

20.2 A

Id-连续漏极电流

20.2 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCP190N60_GF102SuperFETII®

数据手册

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产品型号

FCP190N60_GF102

Pd-PowerDissipation

208 W

Pd-功率耗散

208 W

Qg-GateCharge

57 nC

Qg-栅极电荷

57 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

170 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

170 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V, +/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V, 30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.5 V

上升时间

10 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2950pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

74nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

199 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

64 ns

功率-最大值

208W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

170 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

21 S

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

20.2 A

漏源极电压(Vdss)

600V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-semiconductor-superfet-mosfets/4170

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20.2A (Tc)

系列

FCP190N60

配置

Single

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