图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: FCP16N60N
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

FCP16N60N产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FCP16N60N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCP16N60N价格参考。Fairchild SemiconductorFCP16N60N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 16A(Tc) 134.4W(Tc) TO-220-3。您可以下载FCP16N60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCP16N60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FCP16N60N是ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管),属于单个N沟道增强型MOSFET。该器件具有以下主要特点和应用场景:

 主要特点:
1. 高电压耐受能力:最大漏源极击穿电压(Vds)为600V,适用于高压应用。
2. 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻较低,有助于减少功率损耗,提高效率。
3. 快速开关特性:具备较快的开关速度,适合高频开关应用。
4. 小封装:采用TO-220封装,便于散热设计,适合紧凑型电路。

 应用场景:
1. 电源管理:FCP16N60N广泛应用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其高电压耐受能力和低导通电阻使其能够在高压输入环境下高效工作。
   
2. 电机驱动:在电动工具、家电(如洗衣机、空调等)的电机驱动电路中,FCP16N60N可以作为开关元件,控制电机的启动、停止和调速。它能够承受电机启动时的瞬态高压,并提供稳定的电流输出。

3. 太阳能逆变器:在光伏系统中,FCP16N60N可用于逆变器电路,将直流电转换为交流电。其高压特性和快速开关性能有助于提高逆变器的效率和可靠性。

4. 工业自动化:在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)、伺服驱动器等,FCP16N60N可以用作负载开关或信号隔离元件,确保系统的稳定运行。

5. 汽车电子:在汽车电子领域,如车载充电器、电池管理系统(BMS)、LED驱动电路等,FCP16N60N能够应对车辆电气系统中的高压环境,并提供可靠的开关功能。

总之,FCP16N60N凭借其高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关特性,适用于多种需要高效功率管理和可靠开关操作的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3MOSFET SupreMOS 16A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

16 A

Id-连续漏极电流

16 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCP16N60NSupreMOS™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FCP16N60N

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

134.4 W

Pd-功率耗散

134.4 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

170 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

170 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

+/- 30 V

上升时间

15.5 ns

下降时间

20.2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2170pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

52.3nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

199 毫欧 @ 8A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

典型关闭延迟时间

60.3 ns

功率-最大值

134.4W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

170 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

13 S

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

16 A

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16A (Tc)

系列

FCP11N60

通道模式

Enhancement

配置

Single

推荐商品

型号:BUK72150-55A,118

品牌:Nexperia USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SCH1337-TL-H

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRLR014PBF

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:VN10LFTC

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRL1404ZSPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BUZ31 E3046

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRFP22N60KPBF

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SI8466EDB-T2-E1

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
FCP16N60N 相关产品

IRFBF30SPBF

品牌:Vishay Siliconix

价格:

R5011FNX

品牌:Rohm Semiconductor

价格:

APT94N60L2C3G

品牌:Microsemi Corporation

价格:

SPU07N60S5

品牌:Infineon Technologies

价格:

IRFH5215TR2PBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

IRFR9310

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IXFK98N50P3

品牌:IXYS

价格:

STQ1NK80ZR-AP

品牌:STMicroelectronics

价格: