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FCP11N60F产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCP11N60F由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCP11N60F价格参考¥8.65-¥18.70。Fairchild SemiconductorFCP11N60F封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) TO-220-3。您可以下载FCP11N60F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCP11N60F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FCP11N60F是一款单通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 FCP11N60F常用于开关电源(SMPS)的设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。它能够高效地控制电流的开关状态,减少能量损耗,提高电源转换效率。由于其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(Vds),适合在高压、大电流环境下工作。 2. 电机驱动 在电机控制系统中,FCP11N60F可以作为功率级的一部分,用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。它能够快速响应PWM(脉宽调制)信号,实现对电机速度和扭矩的精确控制。此外,其低功耗特性有助于延长电池寿命,特别适用于电动工具、家用电器等便携式设备。 3. 逆变器与变频器 FCP11N60F可用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)以及工业变频器中。它能够处理高频开关操作,确保输出波形的稳定性和精度。其高耐压能力和低损耗特性使其成为这些应用的理想选择,尤其是在需要高效能和可靠性的场合。 4. 负载开关 在消费电子和通信设备中,FCP11N60F可以用作负载开关,控制不同电路模块之间的电源分配。它能够在短时间内快速切换电源路径,避免过流、短路等异常情况的发生,保护系统安全运行。 5. 电池管理系统 在电动汽车、储能系统等电池管理应用中,FCP11N60F可以用于电池组的充放电控制。它能够承受较大的电流波动,并且具备良好的热稳定性,确保电池的安全和长寿命。 总结 FCP11N60F凭借其出色的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、逆变器、负载开关及电池管理系统等领域有着广泛的应用前景。它不仅能满足高性能要求,还能有效降低能耗,提升系统的整体效率和安全性。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220MOSFET 600V NCH MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCP11N60FSuperFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FCP11N60F |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 125 W |
Pd-功率耗散 | 125 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 380 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 98 ns |
下降时间 | 56 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1490pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 380 毫欧 @ 5.5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | FCP11N60F-ND |
典型关闭延迟时间 | 119 ns |
功率-最大值 | 125W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 380 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 9.7 S |
汲极/源极击穿电压 | 600 V |
漏极连续电流 | 11 A |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
系列 | FCP11N60 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |