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  • 型号: FCP11N60F
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FCP11N60F产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FCP11N60F由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCP11N60F价格参考¥8.65-¥18.70。Fairchild SemiconductorFCP11N60F封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) TO-220-3。您可以下载FCP11N60F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCP11N60F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的FCP11N60F是一款单通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   FCP11N60F常用于开关电源(SMPS)的设计,如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。它能够高效地控制电流的开关状态,减少能量损耗,提高电源转换效率。由于其低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(Vds),适合在高压、大电流环境下工作。

 2. 电机驱动
   在电机控制系统中,FCP11N60F可以作为功率级的一部分,用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机。它能够快速响应PWM(脉宽调制)信号,实现对电机速度和扭矩的精确控制。此外,其低功耗特性有助于延长电池寿命,特别适用于电动工具、家用电器等便携式设备。

 3. 逆变器与变频器
   FCP11N60F可用于太阳能逆变器、UPS(不间断电源)以及工业变频器中。它能够处理高频开关操作,确保输出波形的稳定性和精度。其高耐压能力和低损耗特性使其成为这些应用的理想选择,尤其是在需要高效能和可靠性的场合。

 4. 负载开关
   在消费电子和通信设备中,FCP11N60F可以用作负载开关,控制不同电路模块之间的电源分配。它能够在短时间内快速切换电源路径,避免过流、短路等异常情况的发生,保护系统安全运行。

 5. 电池管理系统
   在电动汽车、储能系统等电池管理应用中,FCP11N60F可以用于电池组的充放电控制。它能够承受较大的电流波动,并且具备良好的热稳定性,确保电池的安全和长寿命。

 总结
FCP11N60F凭借其出色的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、逆变器、负载开关及电池管理系统等领域有着广泛的应用前景。它不仅能满足高性能要求,还能有效降低能耗,提升系统的整体效率和安全性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220MOSFET 600V NCH MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

11 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCP11N60FSuperFET™

数据手册

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产品型号

FCP11N60F

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

125 W

Pd-功率耗散

125 W

RdsOn-漏源导通电阻

380 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

98 ns

下降时间

56 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1490pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

52nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

380 毫欧 @ 5.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

FCP11N60F-ND
FCP11N60FFS

典型关闭延迟时间

119 ns

功率-最大值

125W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

380 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

9.7 S

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

11 A

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Tc)

系列

FCP11N60

通道模式

Enhancement

配置

Single

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