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  • 型号: FCP11N60
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FCP11N60由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCP11N60价格参考。Fairchild SemiconductorFCP11N60封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 11A(Tc) 125W(Tc) TO-220-3。您可以下载FCP11N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCP11N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220MOSFET 600V 11A N-CH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

11 A

Id-连续漏极电流

11 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCP11N60SuperFET™

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产品型号

FCP11N60

PCN封装

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PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

125 W

Pd-功率耗散

125 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

380 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

380 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

98 ns

下降时间

56 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1490pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

52nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

380 毫欧 @ 5.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=6736

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

其它名称

FCP11N60_NL
FCP11N60_NL-ND

典型关闭延迟时间

119 ns

功率-最大值

125W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

9.7 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Tc)

系列

FCP11N60

通道模式

Enhancement

配置

Single

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