Datasheet下载- 型号： FCP104N60F
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCP104N60F由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCP104N60F价格参考。Fairchild SemiconductorFCP104N60F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FCP104N60F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCP104N60F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCP104N60F 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：FCP104N60F 的高电压耐受能力（600V 额定击穿电压）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。 - DC-DC 转换器：可用于降压或升压转换器的主开关器件，提供高效的能量转换。 - 功率因数校正 (PFC)：在 PFC 电路中作为主开关管，帮助提高系统的功率因数。 2. 电机驱动 - 逆变器：用于驱动感应电机或永磁同步电机，特别是在工业控制和家用电器中的中小型电机驱动系统。 - 无刷直流电机 (BLDC) 控制：在 BLDC 电机驱动电路中，作为功率级的一部分，用于实现精确的速度和方向控制。 3. 太阳能与可再生能源 - 太阳能逆变器：在小型光伏逆变器中，FCP104N60F 可用作功率开关，将直流电转换为交流电并馈入电网。 - 电池管理系统 (BMS)：用于保护和管理高压电池组，例如电动汽车或储能系统的充放电控制。 4. 工业自动化 - 固态继电器 (SSR)：作为固态继电器的核心开关元件，用于替代传统机械继电器，实现更长寿命和更高可靠性。 - 负载切换：在工业设备中用于快速切换高电压负载，如加热元件、照明系统等。 5. 消费电子 - 家电产品：如空调、洗衣机、冰箱等家用电器中，用于压缩机驱动、风扇控制或其他高压负载管理。 - 电动工具：在便携式电动工具中，作为主功率开关，支持高效的能量传输和动态负载控制。 6. 汽车电子 - 车载充电器 (OBC)：在电动汽车或混合动力汽车中，用于车载充电器的功率转换部分。 - 启动/停止系统：在发动机启停系统中，用于控制大电流负载的通断。 总结 FCP104N60F 凭借其高耐压、低导通电阻（Rds(on) 典型值为 0.4 Ω）、高效率和出色的热性能，广泛应用于需要高压开关和功率管理的场景。它特别适合于要求高可靠性和高效能的工业、消费和汽车领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V TO-220MOSFET N-Channel SuperFET ll FRFET MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 37 A |
| Id-连续漏极电流 | 37 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCP104N60FSuperFETII® FRFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCP104N60F |
| Pd-PowerDissipation | 357 W |
| Pd-功率耗散 | 357 W |
| Qg-GateCharge | 145 nC |
| Qg-栅极电荷 | 145 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 104 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 104 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 21.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6130pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 145nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 104 毫欧 @ 18.5A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 214 ns |
| 功率-最大值 | 357W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 104 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 37 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 37A （Tc） |
| 系列 | FCP104N60 |
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