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FCH47N60NF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCH47N60NF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCH47N60NF价格参考。Fairchild SemiconductorFCH47N60NF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 45.8A(Tc) 368W(Tc) TO-247。您可以下载FCH47N60NF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCH47N60NF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCH47N60NF是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单个晶体管类型。它具有以下应用场景: 1. 电源管理:FCH47N60NF广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和AC-DC转换器中,用于高效地控制电压和电流的转换。其低导通电阻和高开关频率特性使其适合于需要高效能和小尺寸设计的电源管理系统。 2. 电机驱动:在电动工具、家电和工业自动化设备中,该MOSFET可以作为电机驱动电路中的关键元件,用于精确控制电机的速度和方向。它能够承受较大的电流波动,并且具备良好的热稳定性,确保长时间稳定运行。 3. 太阳能逆变器:在可再生能源领域,特别是太阳能发电系统中,FCH47N60NF可用于构建高效的逆变器电路,将直流电转换为交流电供给电网或负载使用。其耐高压特性(最高可达600V)非常适合处理光伏板产生的高电压输出。 4. 汽车电子:随着电动汽车市场的快速发展,这款MOSFET也被越来越多地应用于车载充电器、电池管理系统以及辅助驾驶系统的电源部分。它的可靠性和抗干扰能力强,能够在恶劣的工作环境下保持性能。 5. 消费电子产品:从智能手机到笔记本电脑,许多便携式设备内部都集成了类似的MOSFET器件来进行快速充电管理和功率调节,以延长电池寿命并提高用户体验。 总之,FCH47N60NF凭借其出色的电气参数和广泛的适用性,在众多行业和应用场合中发挥着重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 45.8A TO-247MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 45.8 A |
Id-连续漏极电流 | 45.8 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCH47N60NFSupreMOS™ |
数据手册 | |
产品型号 | FCH47N60NF |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 368 W |
Pd-功率耗散 | 368 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 57.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 57.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6120pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 157nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 23.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247 |
功率-最大值 | 368W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 6.390 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 150 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 52 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 45.8A (Tc) |
系列 | FCH47N60 |