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Datasheet下载- 型号： FCH47N60F
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCH47N60F由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCH47N60F价格参考。Fairchild SemiconductorFCH47N60F封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247。您可以下载FCH47N60F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCH47N60F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCH47N60F 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单个 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于功率 MOSFET 类别。它具有 600V 的击穿电压和低导通电阻，适用于多种高压、大电流应用场景。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： - FCH47N60F 适用于各种开关电源设计，包括离线式开关电源、DC-DC 转换器等。其高耐压特性使其能够在输入电压波动较大的情况下稳定工作，确保电源系统的可靠性和效率。 2. 电机驱动： - 在工业自动化和消费电子领域，该 MOSFET 可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）。其低导通电阻有助于减少发热，提高驱动效率，延长设备寿命。 3. 逆变器： - 用于光伏逆变器和不间断电源（UPS）系统中，将直流电转换为交流电。FCH47N60F 的快速开关特性和高耐压能力使其在这些应用中表现出色，能够有效提升能量转换效率，降低损耗。 4. 电池管理系统（BMS）： - 在电动汽车、储能系统等领域，FCH47N60F 可用于电池管理电路中的充放电控制。其低导通电阻和高耐压特性有助于实现精确的电流控制和保护功能，确保电池的安全运行。 5. 电磁兼容性（EMC）滤波器： - 在高频开关应用中，MOSFET 的开关速度会影响电磁干扰（EMI）。FCH47N60F 的优化设计有助于减少开关噪声，改善系统的电磁兼容性，满足严格的 EMC 标准要求。 总之，FCH47N60F 凭借其优异的电气性能和可靠性，在电力电子领域有着广泛的应用前景，特别适合需要高效、可靠且具备高耐压能力的电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FCH47N60F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 270nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 73 毫欧 @ 23.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 功率-最大值 | 417W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 47A （Tc） |
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