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Datasheet下载- 型号： FCH041N60E
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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FCH041N60E产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCH041N60E由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCH041N60E价格参考。Fairchild SemiconductorFCH041N60E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 77A（Tc） 592W（Tc） TO-247。您可以下载FCH041N60E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCH041N60E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 77A TO-247MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET 600V, 77A, 41m |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 77 A |
| Id-连续漏极电流 | 77 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCH041N60ESuperFETII® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCH041N60E |
| Pd-PowerDissipation | 592 W |
| Pd-功率耗散 | 592 W |
| Qg-GateCharge | 285 nC |
| Qg-栅极电荷 | 285 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 41 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 41 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V to 3.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V to 3.5 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 85 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13700pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 380nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 41 毫欧 @ 39A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 典型关闭延迟时间 | 320 ns |
| 功率-最大值 | 592W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.390 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 71 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-semiconductor-superfet-mosfets/4170 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 77A （Tc） |
| 系列 | FCH041 |
| 配置 | Single |
