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  • 型号: FCD9N60NTM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FCD9N60NTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCD9N60NTM价格参考。Fairchild SemiconductorFCD9N60NTM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 9A(Tc) 92.6W(Tc) D-Pak。您可以下载FCD9N60NTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCD9N60NTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 600V 9A DPAKMOSFET 600V N-Channel SupreMOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9 A

Id-连续漏极电流

9 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCD9N60NTMSupreMOS™

数据手册

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产品型号

FCD9N60NTM

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

92.6 W

Pd-功率耗散

92.6 W

Qg-GateCharge

17.8 nC

Qg-栅极电荷

17.8 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

330 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

330 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V to 5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V to 5 V

上升时间

9.6 ns

下降时间

11.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1000pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17.8nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

385 毫欧 @ 4.5A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

FCD9N60NTMDKR

典型关闭延迟时间

28.7 ns

功率-最大值

92.6W

包装

Digi-Reel®

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

5.3 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9A (Tc)

系列

FCD9N60NTM

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