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  • 型号: FCD900N60Z
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FCD900N60Z产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FCD900N60Z由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCD900N60Z价格参考。Fairchild SemiconductorFCD900N60Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 4.5A(Tc) 52W(Tc) TO-252,(D-Pak)。您可以下载FCD900N60Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCD900N60Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3MOSFET 600V N-Channel MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.5 A

Id-连续漏极电流

4.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCD900N60ZSuperFETII®

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产品型号

FCD900N60Z

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

13 nC

Qg-栅极电荷

13 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

900 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

900 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

650 V

Vds-漏源极击穿电压

650 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3.5 V

上升时间

5.2 ns

下降时间

11.9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

720pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

900 毫欧 @ 2.3A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

FCD900N60ZCT

典型关闭延迟时间

33.6 ns

功率-最大值

52W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

4.6 S

漏源极电压(Vdss)

600V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-semiconductor-superfet-mosfets/4170http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.5A (Tc)

系列

FCD900N60Z

配置

Single

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