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  • 型号: FCD620N60ZF
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FCD620N60ZF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCD620N60ZF价格参考。Fairchild SemiconductorFCD620N60ZF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FCD620N60ZF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCD620N60ZF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 7.3A, 620m

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.3 A

Id-连续漏极电流

7.3 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCD620N60ZFSuperFETII® FRFET®

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产品型号

FCD620N60ZF

Pd-PowerDissipation

89 W

Pd-功率耗散

89 W

Qg-GateCharge

20 nC

Qg-栅极电荷

20 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

620 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

620 mOhms

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V to 5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V to 5 V

上升时间

7 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1135pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

36nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

620 毫欧 @ 3.6A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

FCD620N60ZFDKR

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

89W

包装

Digi-Reel®

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

620 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

7 S

汲极/源极击穿电压

600 V

漏极连续电流

7.3 A

漏源极电压(Vdss)

600V

特色产品

http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-semiconductor-superfet-mosfets/4170http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/fairchild-cloud-systems-computing/4301

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.3A (Tc)

系列

FCD620

配置

Single

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