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型号： FCD4N60TM_WS
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FCD4N60TM_WS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCD4N60TM_WS价格参考。Fairchild SemiconductorFCD4N60TM_WS封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 600V 3.9A（Tc） 50W（Tc） D-Pak。您可以下载FCD4N60TM_WS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCD4N60TM_WS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FCD4N60TM_WS 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款晶体管，属于 FET/MOSFET - 单类型。以下是该型号的应用场景：

1. 开关电源（SMPS）  
   FCD4N60TM_WS 适用于开关电源中的高频开关应用。其高电压耐受能力（600V）和低导通电阻特性使其成为开关电源的理想选择，可用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器中。

2. 电机驱动  
   在电机驱动电路中，这款 MOSFET 可用作功率开关，控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和较低的功耗有助于提高系统的效率。

3. 逆变器  
   FCD4N60TM_WS 可用于光伏逆变器或其他类型的逆变器中，作为主功率开关元件，将直流电转换为交流电。

4. 负载切换  
   在需要高效负载切换的应用中，例如工业设备或汽车电子系统中，该 MOSFET 可以实现快速、可靠的负载切换，同时减少能量损耗。

5. PFC（功率因数校正）电路  
   在功率因数校正电路中，这款 MOSFET 可以用作主开关器件，帮助提高系统的功率因数并降低谐波失真。

6. 电池管理系统（BMS）  
   在电池管理系统中，FCD4N60TM_WS 可用于电池充放电控制，确保电流和电压的安全范围，保护电池免受过充或过放的影响。

7. 家电产品  
   在家用电器（如空调、冰箱、洗衣机等）中，该 MOSFET 可用于功率控制模块，提供高效的能源管理和稳定的性能。

8. 汽车电子  
   在汽车电子系统中，例如电动车窗、座椅调节、雨刷控制等应用中，FCD4N60TM_WS 的高可靠性和耐高压特性非常适合此类环境。

9. 工业自动化  
   在工业自动化设备中，这款 MOSFET 可用于继电器替代、电磁阀驱动和其他功率控制场景，提供更高效、更紧凑的解决方案。

总之，FCD4N60TM_WS 凭借其高电压耐受能力、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FCD4N60TM_WS
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	SuperFET™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	540pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	16.6nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	1.2 欧姆 @ 2A，10V
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	FCD4N60TM_WSDKR
功率-最大值	50W
包装	Digi-Reel®
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.9A （Tc）