ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FCB20N60TM
/FCB20N60TM.jpg)
Datasheet下载- 型号： FCB20N60TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCB20N60TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCB20N60TM价格参考。Fairchild SemiconductorFCB20N60TM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 600V 20A（Tc） 208W（Tc） D²PAK。您可以下载FCB20N60TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCB20N60TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FCB20N60TM是一款N沟道MOSFET晶体管，广泛应用于多种电力电子场景。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于开关电源中的功率转换部分，能够高效地进行高频开关操作，提供低导通电阻（Rds(on)），从而减少能量损耗，提高整体效率。 2. 电机驱动：在工业和消费类电机控制应用中，FCB20N60TM可以作为功率级开关，用于驱动直流无刷电机（BLDC）、步进电机等，支持高电压和大电流需求。 3. 逆变器：用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，帮助实现直流到交流的转换，确保高效的电能传输。 4. 不间断电源（UPS）系统：在UPS中作为关键的功率开关器件，提供稳定可靠的电力保护功能，特别是在负载切换和电池充放电管理方面表现优异。 5. 电动车与电动工具：在电动车、电动自行车以及电动工具的动力系统中，这款MOSFET可承担主功率开关角色，支持快速动态响应和高温工作环境。 6. 电池管理系统（BMS）：用于电池组的充放电保护电路中，通过精确控制电流流动来保护电池免受过充、过放或短路损害。 7. 工业自动化设备：如PLC控制器、伺服驱动器等需要高性能功率开关的应用场合，提供稳定的开关性能和耐久性。 总之，FCB20N60TM凭借其出色的电气特性和可靠性，非常适合于各种需要高效功率转换和控制的应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAKMOSFET HIGH POWER |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCB20N60TMSuperFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCB20N60TM |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 208 W |
| Pd-功率耗散 | 208 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 140 ns |
| 下降时间 | 65 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3080pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FCB20N60TMDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 230 ns |
| 功率-最大值 | 208W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 系列 | FCB20N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
