ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FCA47N60
Datasheet下载- 型号： FCA47N60
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCA47N60由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCA47N60价格参考￥29.55-￥52.06。Fairchild SemiconductorFCA47N60封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 47A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN。您可以下载FCA47N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCA47N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FCA47N60是一款N沟道增强型MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），广泛应用于多种电力电子设备中。该型号的主要应用场景包括但不限于以下几类： 1. 电源管理：FCA47N60适用于各种开关电源（SMPS）和直流-直流转换器，尤其是在高功率应用中。它能够高效地进行电压转换，确保系统稳定运行，并且具有低导通电阻（Rds(on)），从而减少能量损耗，提高效率。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器以及工业自动化领域，FCA47N60可用于控制电机的速度和方向。其快速开关特性和耐高压能力使其能够在高频条件下可靠工作，适应复杂的负载变化。 3. 逆变器与太阳能系统：该MOSFET也常用于光伏逆变器和其他可再生能源系统中，负责将直流电转换为交流电。由于其出色的热性能和电气特性，可以承受恶劣的工作环境，保证长时间稳定运行。 4. 保护电路：FCA47N60还可以作为过流保护、短路保护等安全机制的一部分，防止因电流过大或异常情况导致的损坏。通过精确控制栅极电压，它可以迅速响应并切断电流路径，保障整个系统的安全性。 5. 汽车电子：在现代汽车中，FCA47N60被用来实现车载充电器、LED照明控制等功能。它符合AEC-Q101标准，具备良好的抗干扰能力和可靠性，适合于汽车级应用。 总之，FCA47N60凭借其高性能参数和广泛的适用性，在众多领域内发挥着重要作用，是设计工程师们在选择高效能MOSFET时的理想选项之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 47A TO-3PMOSFET 650V SUPER FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 47 A |
| Id-连续漏极电流 | 47 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCA47N60SuperFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCA47N60 |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 417 W |
| Pd-功率耗散 | 417 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 70 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 210 ns |
| 下降时间 | 75 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 270nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 23.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 典型关闭延迟时间 | 520 ns |
| 功率-最大值 | 417W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 40 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 47A （Tc） |
| 系列 | FCA47N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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