【FC8V33030L/规格参数】厂家_FC8V33030L中文资料_价格

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型号： FC8V33030L
制造商： Panasonic Corporation
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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FC8V33030L产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FC8V33030L由Panasonic Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供FC8V33030L价格参考以及Panasonic CorporationFC8V33030L封装/规格参数等产品信息。你可以下载FC8V33030L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FC8V33030L详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N CH 33V 6.5A WMINI8MOSFET Nch+Nch MOSFET 2.9x2.8mm Flat lead
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	6.5 A
Id-连续漏极电流	6.5 A
品牌	Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsPanasonic
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Panasonic FC8V33030L-
数据手册	http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+3+CDI7001+FC8V3303+8+WW
产品型号	FC8V33030LFC8V33030L
Pd-PowerDissipation	1 W
Pd-功率耗散	1 W
Qg-GateCharge	3.8 nC
Qg-栅极电荷	3.8 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	20 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	20 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	33 V
Vds-漏源极击穿电压	33 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.5 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.5 V
上升时间	3 ns
下降时间	9 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 480µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	360pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	3.8nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	20 毫欧 @ 3.3A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	W迷你型8-F1
典型关闭延迟时间	24 ns
功率-最大值	1W
包装	带卷（TR）
商标	Panasonic
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SMD，扁平引线
封装/箱体	WMini-8-F1
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 85 C
最小工作温度	- 40 C
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	33V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6.5A
通道模式	Enhancement
配置	Dual