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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FC6946010R由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FC6946010R价格参考。Panasonic CorporationFC6946010R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FC6946010R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FC6946010R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 100MA SSMINI6MOSFET NCH+NCH MOS FET FLT LD 1.6x1.6mm |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
Id-连续漏极电流 | 100 mA |
品牌 | PanasonicPanasonic Electronic Components |
产品手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJE7002+FC694601+8+WW |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Panasonic FC6946010R- |
数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJE7002+FC694601+8+WW |
产品型号 | FC6946010RFC6946010R |
Pd-PowerDissipation | 125 mW |
Pd-功率耗散 | 125 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 1µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12pF @ 3V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 欧姆 @ 10mA,4V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SSMini6-F3-B |
其它名称 | FC6946010RCT |
典型关闭延迟时间 | 100 nS |
功率-最大值 | 125mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Panasonic |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SSMini-6-F3-B |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 60 mS |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100mA |
配置 | Dual |