ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > FC6943010R
Datasheet下载- 型号： FC6943010R
- 制造商： Panasonic Corporation
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FC6943010R由Panasonic Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FC6943010R价格参考。Panasonic CorporationFC6943010R封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 100mA 125mW 表面贴装 SSMini6-F3-B。您可以下载FC6943010R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FC6943010R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Panasonic Electronic Components 生产的型号为 FC6943010R 的晶体管 - FET，MOSFET 阵列，是一种高性能、低功耗的电子元件，广泛应用于多种电子设备中。以下是一些典型的应用场景： 1. 电源管理：FC6943010R 可用于各种电源管理系统，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器等。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高效率，减少能量损耗。 2. 电机控制：在电机驱动电路中，该 MOSFET 阵列可以用于实现精确的电流控制和速度调节。例如，在无刷直流电机（BLDC）和步进电机控制系统中，它可以提供高效且稳定的驱动能力。 3. 电池保护电路：对于便携式设备中的锂电池或其他类型电池，FC6943010R 可以作为充放电保护的关键组件，防止过充、过放和短路等问题，确保电池的安全使用。 4. 消费电子产品：包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等在内的消费电子产品中，该器件可用于音频放大器、显示屏背光驱动以及USB充电接口等部分，提升产品的性能和用户体验。 5. 工业自动化：在工业领域，FC6943010R 可应用于可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和其他自动化设备中，帮助实现更高效的信号处理和执行机构控制。 6. 汽车电子系统：随着电动汽车和智能驾驶技术的发展，该 MOSFET 阵列也逐渐进入汽车电子领域，如车载信息娱乐系统、车身稳定控制系统（ESC）及电动助力转向系统（EPS）等。 总之，Panasonic FC6943010R MOSFET 阵列凭借其优异的电气性能，在众多需要高效功率管理和信号切换的应用场合中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 100MA SSMINI6MOSFET COMPOSITE SM SIG MOS FLAT LEAD 1.6x1.6mm |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsPanasonic |
| 产品手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJD7003+FC694301+8+WW |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Panasonic FC6943010R- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJD7003+FC694301+8+WW |
| 产品型号 | FC6943010RFC6943010R |
| Pd-PowerDissipation | 125 mW |
| Pd-功率耗散 | 125 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12pF @ 3V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 欧姆 @ 10mA，4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SSMini6-F3-B |
| 其它名称 | FC6943010R-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 100 nS |
| 功率-最大值 | 125mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SSMini-6-F3-B |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA |
| 配置 | Dual |
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