Datasheet下载- 型号： FC6546010R
- 制造商： Panasonic Corporation
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FC6546010R由Panasonic Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FC6546010R价格参考。Panasonic CorporationFC6546010R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FC6546010R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FC6546010R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100MA SMINI6-F3MOSFET Nch+Nch MOSFET 2.0x2.1mm Flat lead |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsPanasonic |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Panasonic FC6546010R- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+3+CDL7001+FC654601+8+WW |
| 产品型号 | FC6546010RFC6546010R |
| Pd-PowerDissipation | 150 mW |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 12 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12pF @ 3V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 欧姆 @ 10mA，4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SMini6-F3-B |
| 其它名称 | FC6546010RCT |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | SMini-6-F3-B |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 60 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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