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  • 型号: F3L30R06W1E3_B11
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供F3L30R06W1E3_B11由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 F3L30R06W1E3_B11价格参考。InfineonF3L30R06W1E3_B11封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载F3L30R06W1E3_B11参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有F3L30R06W1E3_B11 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
品牌

Infineon Technologies

产品目录

半导体

描述

IGBT 模块 IGBT MODULES 600V 30A

产品分类

分离式半导体

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,IGBT 模块,Infineon Technologies F3L30R06W1E3_B11

产品型号

F3L30R06W1E3_B11

产品

IGBT Silicon Modules

产品种类

IGBT 模块

功率耗散

150 W

商标

Infineon Technologies

在25C的连续集电极电流

45 A

安装风格

SMD/SMT

封装/箱体

Module

工厂包装数量

24

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 40 C

栅极/发射极最大电压

20 V

栅极—射极漏泄电流

400 nA

配置

3-Phase

集电极—发射极最大电压VCEO

600 V

集电极—射极饱和电压

1.55 V

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