ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > ESM3030DV
Datasheet下载- 型号： ESM3030DV
- 制造商： STMicroelectronics
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ESM3030DV由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ESM3030DV价格参考。STMicroelectronicsESM3030DV封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN - 达林顿 300V 100A 225W 底座安装 ISOTOP®。您可以下载ESM3030DV参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ESM3030DV 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的ESM3030DV是一款双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类别。该型号适用于多种电子电路设计，以下为其主要应用场景： 1. 开关应用：ESM3030DV可以作为电子开关使用，广泛应用于数字电路中，用于控制其他器件的通断状态。例如，在继电器驱动、LED驱动和小型电机控制等场景中，它能够高效地实现开关功能。 2. 信号放大：作为一种双极型晶体管，ESM3030DV具备良好的电流放大能力，适合用作音频信号放大器或射频信号放大器中的核心元件。它可以将微弱输入信号增强到足够强度以驱动负载设备。 3. 电源管理：在直流-直流转换器、线性稳压器等电源管理系统中，该晶体管可用于调节输出电压或电流，确保为下游电路提供稳定可靠的电能供应。 4. 保护电路：利用其快速响应特性和过流保护能力，ESM3030DV可以在过载情况下切断电流路径，从而保护敏感组件免受损害。这在电池充电保护、短路防护等方面尤为有用。 5. 通信设备：由于其高频性能优异，该型号也可应用于无线通信领域，如低噪声放大器(LNA)、混频器以及其他需要高增益和宽带宽特性的场合。 6. 消费类电子产品：从家用电器到便携式设备，如遥控器、玩具及音响系统，ESM3030DV凭借其紧凑封装形式和经济实惠的价格成为理想选择。 总之，ESM3030DV凭借其出色的电气参数和可靠性，在众多工业自动化、汽车电子、医疗仪器以及日常消费品等领域均能找到其身影。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC PWR MODULE DARL NPN ISOTOP达林顿晶体管 NPN Darl Power Mod |
| 产品分类 | 晶体管 - 模块分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,STMicroelectronics ESM3030DV- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ESM3030DV |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 2.4A，85A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 85A，5V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | ISOTOP® |
| 其它名称 | 497-6691-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC88/PF75134?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 225W |
| 功率耗散 | 225 W |
| 包装 | 管件 |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | ISOTOP |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 100 A |
| 最大集电极截止电流 | 1 mA |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 300V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
| 系列 | ESM2030 |
| 配置 | Single Dual Emitter |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 300 V |
| 频率-跃迁 | - |
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