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ESDR0502NMUTBG产品简介:
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ON Semiconductor(现为安森美半导体)的ESDR0502NMUTBG是一款TVS(瞬态电压抑制器)二极管,主要用于保护电子设备免受瞬态过电压的影响。以下是该型号的应用场景: 1. 数据线保护:适用于USB、HDMI、以太网等高速数据接口的保护,防止因静电放电(ESD)或浪涌引起的损坏。 2. 通信设备:在手机、路由器、交换机等通信设备中,用于保护信号线路和电源线路,确保设备在复杂电磁环境中稳定运行。 3. 消费类电子产品:如电视、音响、游戏机等,提供对敏感电路的保护,避免因外部干扰导致的功能异常。 4. 汽车电子:用于车载信息娱乐系统、传感器接口、CAN总线等,保护其免受电气瞬变的影响,提高系统的可靠性和安全性。 5. 工业控制:在工业自动化设备中,保护输入输出端口,防止因雷击或其他电气干扰导致的设备故障。 6. 医疗设备:用于保护患者监护仪、超声波设备等精密仪器的接口,确保设备在使用过程中的安全性和稳定性。 该器件具有低电容特性,适合应用于高速信号线路,同时具备良好的ESD防护能力,能够有效吸收瞬态过电压能量,保护后级电路不受损害。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TVS DIODE 5.5VWM 6UDFNTVS二极管阵列 LOW CAP TVS ARRAY |
产品分类 | |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ON Semiconductor ESDR0502NMUTBG- |
数据手册 | |
产品型号 | ESDR0502NMUTBG |
PCN组件/产地 | |
不同频率时的电容 | 0.3pF @ 1MHz |
产品种类 | TVS二极管阵列 |
供应商器件封装 | 6-UDFN(1.2x1) |
其它名称 | ESDR0502NMUTBG-ND |
击穿电压 | 6 V |
功率-峰值脉冲 | 100W |
包装 | 带卷 (TR) |
单向通道 | - |
双向通道 | 3 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-UFDFN |
封装/箱体 | uDFN-6 |
尺寸 | 1 mm W x 1.2 mm L x 0.4 mm H |
峰值浪涌电流 | 3 A |
峰值脉冲功率耗散 | 100 W |
工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
工厂包装数量 | 3000 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 40 C |
极性 | Unidirectional |
标准包装 | 3,000 |
电压-击穿(最小值) | 6V |
电压-反向关态(典型值) | 5.5V(最小值) |
电压-箝位(最大值)@Ipp | - |
电容 | 0.3 pF |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 3A (8/20µs) |
电源线路保护 | 是 |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | 转向装置(轨至轨) |
系列 | ESDR0502N |
通道 | 4 Channels |
钳位电压 | 8 kV |