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ESDR0502NMUTBG产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TVS DIODE 5.5VWM 6UDFNTVS二极管阵列 LOW CAP TVS ARRAY |
产品分类 | |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,ON Semiconductor ESDR0502NMUTBG- |
数据手册 | |
产品型号 | ESDR0502NMUTBG |
PCN组件/产地 | |
不同频率时的电容 | 0.3pF @ 1MHz |
产品种类 | TVS二极管阵列 |
供应商器件封装 | 6-UDFN(1.2x1) |
其它名称 | ESDR0502NMUTBG-ND |
击穿电压 | 6 V |
功率-峰值脉冲 | 100W |
包装 | 带卷 (TR) |
单向通道 | - |
双向通道 | 3 |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-UFDFN |
封装/箱体 | uDFN-6 |
尺寸 | 1 mm W x 1.2 mm L x 0.4 mm H |
峰值浪涌电流 | 3 A |
峰值脉冲功率耗散 | 100 W |
工作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
工厂包装数量 | 3000 |
应用 | 通用 |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 40 C |
极性 | Unidirectional |
标准包装 | 3,000 |
电压-击穿(最小值) | 6V |
电压-反向关态(典型值) | 5.5V(最小值) |
电压-箝位(最大值)@Ipp | - |
电容 | 0.3 pF |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 3A (8/20µs) |
电源线路保护 | 是 |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | 转向装置(轨至轨) |
系列 | ESDR0502N |
通道 | 4 Channels |
钳位电压 | 8 kV |