Datasheet下载- 型号： ESD8006MUTAG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ESD8006MUTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ESD8006MUTAG价格参考。ON SemiconductorESD8006MUTAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ESD8006MUTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ESD8006MUTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 3.3VWM 8.4VC 8-DFNTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,ON Semiconductor ESD8006MUTAG- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ESD8006MUTAG |
| 不同频率时的电容 | 0.32pF @ 1MHz |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | 8-UDFN （3.3x1.0） |
| 其它名称 | ESD8006MUTAGOSDKR |
| 击穿电压 | 7 V |
| 功率-峰值脉冲 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 6 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 10-UFDFN |
| 封装/箱体 | UDFN |
| 尺寸 | 1 mm W x 3.3 mm L x 0.55 mm H |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 工作电压 | 3.3 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 5.5V |
| 电压-反向关态（典型值） | 3.3V （最小值） |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 8.4V （标准） |
| 电容 | 2.5 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 16A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | ESD8006 |
| 钳位电压 | 8.4 V |
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