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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 电路保护半导体 |
描述 | TVS DIODE 5.3VWM 21VC TSSLP2-4TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 TVS DIODES |
产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,Infineon Technologies ESD112B102ELSE6327XTSA1- |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/ESD112-B1-02ELS_rev_1_1.pdf?folderId=db3a30431f848401011fcbf2ab4c04c4&fileId=db3a30433d346a2d013d3aa400953906 |
产品型号 | ESD112B102ELSE6327XTSA1 |
不同频率时的电容 | 0.23pF @ 1MHz |
产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
供应商器件封装 | TSSLP-2-4 |
其它名称 | ESD112B102ELSE6327XTSA1TR |
击穿电压 | 7 V |
功率-峰值脉冲 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
单向通道 | - |
双向通道 | 1 |
商标 | Infineon Technologies |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 2-XFDFN |
封装/箱体 | TSSLP-2-4 |
峰值浪涌电流 | 3 A |
工作温度 | -55°C ~ 125°C (TJ) |
工作电压 | - 5.3 V to + 5.3 V |
工厂包装数量 | 15000 |
应用 | RF 天线 |
最大工作温度 | + 125 C |
最小工作温度 | - 55 C |
极性 | Bidirectional |
标准包装 | 15,000 |
电压-击穿(最小值) | 7V |
电压-反向关态(典型值) | 5.3V (最小值) |
电压-箝位(最大值)@Ipp | 21V |
电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 3A (8/20µs) |
电源线路保护 | 无 |
端接类型 | SMD/SMT |
类型 | 齐纳 |
系列 | ESD112 |
钳位电压 | 11 V to 44 V |
零件号别名 | SP001061690 |