ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > EMX2T2R
Datasheet下载- 型号： EMX2T2R
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMX2T2R由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMX2T2R价格参考。ROHM SemiconductorEMX2T2R封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount EMT6。您可以下载EMX2T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMX2T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的EMX2T2R是一款双极晶体管（BJT）阵列，主要用于需要高精度、低噪声和稳定性能的应用场景。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 音频设备：EMX2T2R适用于高保真音响系统、耳机放大器等音频设备。其低噪声特性有助于提供清晰、纯净的音质，确保音频信号在传输过程中不失真。 2. 模拟电路设计：在精密模拟电路中，如运算放大器、滤波器和电压调节器等，EMX2T2R可以作为关键组件，提供稳定的电流和电压控制，确保电路性能的可靠性和一致性。 3. 传感器接口：在传感器应用中，EMX2T2R可用于信号调理电路，将微弱的传感器信号放大并转换为可处理的电信号。例如，在温度传感器、压力传感器等设备中，它能够提高信号的灵敏度和准确性。 4. 电源管理：EMX2T2R可以用于开关电源、线性稳压器等电源管理电路中，实现高效的电流控制和电压调节。其低饱和电压特性有助于减少功率损耗，提高电源效率。 5. 工业自动化：在工业控制系统中，EMX2T2R可用于驱动继电器、电机等执行机构，确保控制信号的准确传递。其高可靠性使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作。 6. 医疗设备：在医疗电子设备中，如心电图机、血压计等，EMX2T2R可以用于信号采集和处理电路，确保测量结果的精确性和稳定性。 7. 通信设备：在通信领域，EMX2T2R可用于射频前端电路、调制解调器等设备中，提供稳定的信号放大和处理功能，确保通信质量。 总之，EMX2T2R凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种对精度和稳定性要求较高的电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 50V 150MA 6EMT两极晶体管 - BJT DUAL NPN 50V 150MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor EMX2T2R- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | EMX2T2R |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | EMT6 |
| 其它名称 | EMX2T2RDKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | EMT-6 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
| 集电极连续电流 | 150 mA |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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