ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > EMX1T2R
Datasheet下载- 型号： EMX1T2R
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMX1T2R由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMX1T2R价格参考￥0.64-￥1.02。ROHM SemiconductorEMX1T2R封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 180MHz 150mW Surface Mount EMT6。您可以下载EMX1T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMX1T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的EMX1T2R是一款双极晶体管（BJT）阵列，广泛应用于各种电子电路中。该型号由两个NPN型晶体管组成，具有高可靠性和稳定性，适用于多种应用场景。 1. 信号放大 EMX1T2R常用于音频和射频信号放大电路中。由于其低噪声特性和良好的线性度，它能够在不引入过多失真的情况下有效放大弱信号。例如，在无线通信设备、收音机、音响系统等应用中，EMX1T2R可以作为前置放大器或中间级放大器，确保信号的稳定传输和高质量输出。 2. 开关电路 在数字电路中，EMX1T2R可以用作开关元件。它能够快速响应控制信号，实现高效的开关操作。例如，在电源管理模块中，EMX1T2R可以用于控制电流的通断，帮助实现过流保护、短路保护等功能。此外，在LED驱动电路中，EMX1T2R也可以作为开关元件，调节LED的亮度或实现调光功能。 3. 传感器接口 EMX1T2R还适用于传感器接口电路。它可以与温度传感器、压力传感器等模拟传感器配合使用，将传感器输出的微弱信号进行放大和处理。例如，在工业自动化控制系统中，EMX1T2R可以用于采集温度、压力等物理量的变化，并将其转换为可处理的电信号，供后续的控制单元进行分析和决策。 4. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，EMX1T2R可以作为驱动电路的一部分，提供足够的电流驱动能力。它能够承受一定的负载电流，并且具备良好的散热性能，适用于低功耗的小型电机控制。例如，在玩具、智能家居设备等领域，EMX1T2R可以用于驱动步进电机或直流电机，实现精确的速度控制和位置控制。 5. 逻辑电平转换 EMX1T2R还可以用于逻辑电平转换电路中。它可以在不同的电压电平之间进行转换，确保不同模块之间的信号兼容性。例如，在嵌入式系统中，EMX1T2R可以用于将微控制器的低电平信号转换为外部设备所需的高电平信号，或者反之亦然。 总的来说，EMX1T2R凭借其出色的性能和可靠性，适用于多种电子电路设计，特别是在需要信号放大、开关控制、传感器接口和电机驱动等场景中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS 2NPN 50V 0.15A 6EMT两极晶体管 - BJT DUAL NPN 50V 150MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor EMX1T2R- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | EMX1T2R |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | EMT6 |
| 其它名称 | EMX1T2RCT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | EMT-6 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 150 mA |
| 频率-跃迁 | 180MHz |
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