ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > EMT1T2R
Datasheet下载- 型号： EMT1T2R
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMT1T2R由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMT1T2R价格参考。ROHM SemiconductorEMT1T2R封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 140MHz 150mW Surface Mount EMT6。您可以下载EMT1T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMT1T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的EMT1T2R是一款双极晶体管（BJT）阵列，广泛应用于需要多个高可靠性、高性能晶体管的应用场景。该型号具有两个NPN晶体管，适合于各种电路设计需求。 应用场景： 1. 信号放大： EMT1T2R可用于音频设备中的信号放大电路，如耳机放大器、音响系统等。其低噪声和高增益特性使得它在处理微弱信号时表现出色，能够提供清晰、稳定的音频输出。 2. 开关电路： 在数字电路中，EMT1T2R可以作为开关元件使用。例如，在电源管理电路中，它可以用于控制负载的通断，确保电路在不同工作模式下的稳定性和效率。此外，它还可以用于LED驱动电路，实现对LED亮度的精确控制。 3. 传感器接口： 该晶体管阵列适用于传感器信号的调理电路。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，EMT1T2R可以将传感器输出的微弱信号进行放大和处理，以满足后续电路的需求。其低功耗和高灵敏度特性使其成为传感器接口的理想选择。 4. 电机驱动： 在小型电机驱动电路中，EMT1T2R可以用作驱动级晶体管。通过适当的驱动电路设计，它可以有效地控制电机的启动、停止和转速调节。由于其良好的散热性能和耐压能力，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定运行。 5. 通信设备： 在无线通信模块中，EMT1T2R可以用于射频前端电路的设计，如功率放大器、混频器等。其高频特性和低失真特性使得它在通信设备中能够提供可靠的信号传输和处理能力。 6. 工业自动化： 在工业控制系统中，EMT1T2R可以用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入输出接口电路，实现对传感器、执行器等设备的信号采集和控制。其高可靠性和抗干扰能力使得它在工业环境中具有广泛应用前景。 总之，EMT1T2R凭借其优异的电气性能和稳定性，适用于多种电子设备和系统的开发与应用，特别是在需要多个高性能晶体管的场合下表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 50V 150MA 6EMT两极晶体管 - BJT DUAL PNP 50V 150MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor EMT1T2R- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | EMT1T2R |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | EMT6 |
| 其它名称 | EMT1T2R-ND |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | EMT-6 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.5 V |
| 集电极连续电流 | - 150 mA |
| 频率-跃迁 | 140MHz |
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