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Datasheet下载- 型号： EMG3T2R
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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EMG3T2R产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMG3T2R由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMG3T2R价格参考。ROHM SemiconductorEMG3T2R封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3。您可以下载EMG3T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMG3T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN EMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 DUAL DIGITAL NPN/NPN INPUT RESISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor EMG3T2R- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | EMG3T2R |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 150mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | EMT3 |
| 其它名称 | EMG3T2RCT |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 |
| 封装/箱体 | EMT-5 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 配置 | Dual Common Emitter |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
