Datasheet下载- 型号： EMF8T2R
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMF8T2R由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMF8T2R价格参考。ROHM SemiconductorEMF8T2R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EMF8T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMF8T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN EMT6 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | EMF8T2R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 500µA， 10mA / 250mV @ 10mA， 200mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 68 @ 5mA，5V / 270 @ 10mA，2V |
| 供应商器件封装 | EMT6 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 NPN 预偏压式，1 NPN |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V，12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA，500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 250MHz，320MHz |
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