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  • 型号: EMF21T2R
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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EMF21T2R产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS PNP/NPN EMT6

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

品牌

Rohm Semiconductor

数据手册

产品图片

产品型号

EMF21T2R

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

30 @ 5mA,5V / 270 @ 10mA,2V

产品目录绘图

产品目录页面

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供应商器件封装

EMT6

其它名称

1056-EMF21T2R-CHP

功率-最大值

150mW

包装

*

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

晶体管类型

1 NPN 预偏压式,1 PNP

标准包装

8,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V,12V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA,500mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

10k

电阻器-基底(R1)(Ω)

10k

频率-跃迁

250MHz,260MHz

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