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EM6K31T2R产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供EM6K31T2R由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EM6K31T2R价格参考。ROHM SemiconductorEM6K31T2R封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 250mA 150mW 表面贴装 EMT6。您可以下载EM6K31T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有EM6K31T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6 |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | EM6K31T2R |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 欧姆 @ 250mA,10V |
供应商器件封装 | EMT6 |
其它名称 | EM6K31T2RCT |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 250mA |