ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > DXT2011P5-13
Datasheet下载- 型号： DXT2011P5-13
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DXT2011P5-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DXT2011P5-13价格参考。Diodes Inc.DXT2011P5-13封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 NPN 100V 6A 130MHz 3.2W 表面贴装 PowerDI™ 5。您可以下载DXT2011P5-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DXT2011P5-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DXT2011P5-13是一款单通道双极晶体管（BJT），广泛应用于各种电子设备和电路中。该型号的主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 DXT2011P5-13可以用于开关电源、线性稳压器等电源管理电路中，作为开关或放大元件。它能够在低电压条件下提供稳定的电流输出，确保电源系统的高效运行。由于其低饱和电压特性，能够有效减少功耗，提高电源转换效率。 2. 信号放大 在音频放大器、射频放大器等信号处理电路中，DXT2011P5-13可以用作小信号放大器，放大微弱的电信号。其高增益特性使得它在低噪声放大应用中表现出色，适用于对信号质量要求较高的场景。 3. 驱动电路 该晶体管还可以用于驱动继电器、电机等负载。通过控制基极电流，可以实现对较大电流负载的有效控制。例如，在工业自动化控制系统中，DXT2011P5-13可以用来驱动步进电机或其他执行机构，确保精确的动作控制。 4. 保护电路 在过流保护、短路保护等安全电路中，DXT2011P5-13可以起到关键作用。当检测到异常电流时，可以通过快速切断电路来保护其他敏感元件免受损坏。它的快速响应时间和低导通电阻特性使其非常适合用于瞬态保护电路。 5. 温度传感器 利用双极晶体管的温度特性，DXT2011P5-13还可以用于温度测量和监控。通过监测集电极-发射极电压随温度的变化，可以构建简单的温度传感器电路，适用于一些对温度敏感的应用场景。 总结 DXT2011P5-13凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、信号放大、驱动电路、保护电路以及温度传感等领域。其紧凑的封装形式和低功耗特性使其成为许多便携式和小型化电子产品中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 100V 6A POWERDI5两极晶体管 - BJT BIPOLAR TRANS,NPN 100V,6A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DXT2011P5-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DXT2011P5-13 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 220mV @ 500mA，5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 2A，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | PowerDI™ 5 |
| 其它名称 | DXT2011P5-13DKR |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerDI™ 5 |
| 封装/箱体 | PowerDI-5 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 0.74 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 10 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 6A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 10 |
| 系列 | DXT2011P5 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 集电极连续电流 | 6 A |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
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