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DTDG23YPT100产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DTDG23YPT100由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTDG23YPT100价格参考。ROHM SemiconductorDTDG23YPT100封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 60V 1A 80MHz 1.5W Surface Mount MPT3。您可以下载DTDG23YPT100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTDG23YPT100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 60V 1A |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTDG23YPT100- |
数据手册 | |
产品型号 | DTDG23YPT100 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,500mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 300 @ 500mA,2V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | MPT3 |
其它名称 | DTDG23YPT100CT |
典型电阻器比率 | 0.22 |
典型输入电阻器 | 2.2 kOhms |
功率-最大值 | 1.5W |
功率耗散 | 1.5 W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-243AA |
封装/箱体 | MPT-3 |
峰值直流集电极电流 | 1000 mA |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
配置 | Single |
集电极连续电流 | 1 A |
频率-跃迁 | 80MHz |