ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > DTD114EKT146
Datasheet下载- 型号： DTD114EKT146
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DTD114EKT146由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTD114EKT146价格参考￥1.42-￥1.42。ROHM SemiconductorDTD114EKT146封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SMT3。您可以下载DTD114EKT146参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DTD114EKT146 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的DTD114EKT146是一款预偏置的双极晶体管（BJT），主要用于需要精确控制电流和电压的应用场景。这款晶体管属于单个器件，适用于多种电子电路中，特别是在需要高效、稳定的开关或放大功能的情况下。 应用场景： 1. 电源管理： DTD114EKT146可以用于各种电源管理系统中，例如线性稳压器、DC-DC转换器等。它能够提供稳定的电流输出，确保电源系统的可靠性和效率。预偏置特性使得该晶体管在启动时能够快速进入工作状态，减少启动时间并提高响应速度。 2. 音频放大器： 在音频设备中，如扬声器驱动器、耳机放大器等，该晶体管可以用于信号放大。其低噪声特性和高增益有助于提升音质，确保音频信号的清晰度和保真度。 3. 工业自动化： 该晶体管适用于工业控制系统中的信号传输和处理。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）中，它可以用于驱动继电器、传感器或其他执行器。预偏置设计使其能够在复杂的工业环境中保持稳定的工作性能。 4. 电机驱动： 在小型电机驱动应用中，DTD114EKT146可以用于控制电机的启动、停止和调速。其快速响应和高可靠性使得它在机器人、自动化设备等领域表现出色。 5. 通信设备： 在通信系统中，如无线发射器、接收器等，该晶体管可以用于信号的调制和解调。其高频特性使其适合用于射频（RF）电路，确保信号的准确传输和接收。 6. 消费电子产品： 在智能手机、平板电脑等消费电子产品中，该晶体管可用于电源管理和信号处理。其紧凑的设计和高效的性能使得它成为这些便携式设备的理想选择。 总之，Rohm Semiconductor的DTD114EKT146凭借其预偏置特性和优异的性能，广泛应用于电源管理、音频放大、工业自动化、电机驱动、通信设备以及消费电子产品等多个领域，为各类电子系统提供稳定可靠的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 DIGIT NPN 50V 500MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTD114EKT146- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DTD114EKT146 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 2.5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 56 @ 50mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SMT3 |
| 其它名称 | DTD114EKT146DKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 功率耗散 | 200 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 峰值直流集电极电流 | 500 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 56 |
| 配置 | Single |
| 集电极连续电流 | 500 mA |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
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