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  • 型号: DTC144TMT2L
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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DTC144TMT2L产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DTC144TMT2L由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC144TMT2L价格参考。ROHM SemiconductorDTC144TMT2L封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3。您可以下载DTC144TMT2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC144TMT2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的DTC144TMT2L是一款预偏置的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号的应用场景主要集中在需要高可靠性、稳定性和精确控制的小信号放大和开关电路中。以下是其主要应用场景:

 1. 音频设备
   - DTC144TMT2L可用于音频信号放大器中,例如耳机放大器、小型音响系统或麦克风前置放大器。其预偏置特性有助于确保稳定的增益和低失真性能。

 2. 消费电子产品
   - 在电视、遥控器、家用电器等消费电子产品中,该晶体管可以用于信号调节、电源管理或驱动小型负载(如LED指示灯)。

 3. 通信设备
   - 在低功率射频(RF)电路中,这款晶体管可以用作小信号放大器或缓冲器,适用于无线通信模块、蓝牙设备或其他短距离通信系统。

 4. 工业控制
   - 用于工业自动化中的传感器接口、信号调理电路或驱动小型继电器和电机。其预偏置设计简化了电路设计,减少了对外部偏置电路的需求。

 5. 汽车电子
   - 在汽车电子系统中,DTC144TMT2L可用于仪表盘指示灯控制、车载音响系统或小型执行器驱动。其高可靠性和宽温度范围适应性使其适合严苛的汽车环境。

 6. 医疗设备
   - 在便携式医疗设备(如血压计、脉搏血氧仪)中,该晶体管可用于信号放大或驱动显示单元,确保高精度和低功耗。

 7. 物联网(IoT)设备
   - 在低功耗IoT节点中,DTC144TMT2L可用于信号放大、传感器数据采集或驱动小型无线模块,支持高效能和长续航时间。

 特点总结:
- 预偏置设计:简化电路设计,减少外部元件需求。
- 高稳定性:在各种工作条件下保持性能一致。
- 小信号处理:适用于低噪声、高增益的应用场合。
- 紧凑封装:适合空间受限的设计。

总之,DTC144TMT2L是一款适用于多种低功率、小信号应用的高性能晶体管,特别适合需要简单、可靠解决方案的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 TRANS DIGI BJT NPN 50V 100MA 3PIN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC144TMT2L-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

DTC144TMT2L

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 500µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 1mA,5V

产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

VMT3

其它名称

DTC144TMT2L-ND
DTC144TMT2LTR

典型输入电阻器

47 kOhms

功率-最大值

150mW

功率耗散

150 mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-723

封装/箱体

VMT-3

工厂包装数量

8000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

8,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

-

电阻器-基底(R1)(Ω)

47k

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极连续电流

100 mA

频率-跃迁

250MHz

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