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  • 型号: DTC143ZUAT106
  • 制造商: ROHM Semiconductor
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DTC143ZUAT106产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DTC143ZUAT106由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DTC143ZUAT106价格参考¥0.24-¥0.33。ROHM SemiconductorDTC143ZUAT106封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3。您可以下载DTC143ZUAT106参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DTC143ZUAT106 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Rohm Semiconductor的DTC143ZUAT106是一款预偏置的双极晶体管(BJT),主要用于需要高精度电流控制和稳定工作的应用场景。以下是其主要应用领域:

 1. 电源管理
   DTC143ZUAT106适用于各种电源管理系统,如线性稳压器、开关电源等。它能够提供稳定的电流输出,确保电源系统的高效运行。预偏置特性使得该晶体管在启动时能够快速进入工作状态,减少启动时间并提高系统的响应速度。

 2. 信号放大
   在音频设备和其他需要信号放大的电路中,DTC143ZUAT106可以作为放大器的核心元件。它的低噪声特性和高增益特性使其非常适合用于音频前置放大器、麦克风放大器等场景,确保信号的高质量传输和放大。

 3. 电机驱动
   对于小型电机驱动应用,DTC143ZUAT106可以用于控制电机的启停和转速。其预偏置特性有助于实现更精确的电流控制,从而提高电机的响应速度和稳定性。此外,该晶体管的低饱和电压也有助于减少功耗,延长电池寿命。

 4. 传感器接口
   在传感器接口电路中,DTC143ZUAT106可以用于信号调理和放大。例如,在温度传感器、压力传感器等应用中,该晶体管可以将微弱的传感器信号放大到适合后续处理的水平,同时保持信号的完整性。

 5. 保护电路
   DTC143ZUAT106还可以用于过流保护和短路保护电路中。通过检测电流的变化,该晶体管可以在异常情况下迅速切断电路,防止损坏其他元件。预偏置特性使得它能够在正常工作时保持低功耗,而在需要时迅速响应。

 6. 工业自动化
   在工业自动化控制系统中,DTC143ZUAT106可以用于驱动继电器、电磁阀等执行机构。其高可靠性和稳定性确保了这些设备能够在恶劣的工业环境中长期稳定运行。

总的来说,DTC143ZUAT106凭借其预偏置特性、高精度电流控制和稳定性,广泛应用于电源管理、信号放大、电机驱动、传感器接口、保护电路以及工业自动化等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3开关晶体管 - 偏压电阻器 NPN 50V 100MA SOT-323

产品分类

晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体

品牌

Rohm Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ROHM Semiconductor DTC143ZUAT106-

数据手册

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产品型号

DTC143ZUAT106

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 250µA, 5mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

开关晶体管 - 偏压电阻器

供应商器件封装

UMT3

其它名称

DTC143ZUAT106-ND
DTC143ZUAT106TR

典型电阻器比率

0.1

典型输入电阻器

4.7 kOhms

功率-最大值

200mW

功率耗散

200 mW

包装

带卷 (TR)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SC-70

峰值直流集电极电流

100 mA

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN - 预偏压

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

500nA

电阻器-发射极基底(R2)(Ω)

47k

电阻器-基底(R1)(Ω)

4.7k

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

配置

Single

集电极连续电流

100 mA

频率-跃迁

250MHz

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